STP75NF75中文资料
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出色的dv/dt能力
100%经过雪崩测试
应用
工业,通信与网络,计算机和计算机周边STP75NF75中文参数
通道类型
N
晶体管配置
单
最大连续漏极电流
80
A
最大栅源电压
-20 V、+20 V
最大漏源电压
75
V
每片芯片元件数目
1
封装类型
TO-220
典型栅极电荷@Vgs
117 nC @ 10 V
安装类型
通孔
最低工作温度
-55 °C
引脚数目
3
系列
STripFET II
最大漏源电阻值
11 mΩ
最高工作温度
+175 °C
通道模式
增强
长度
10.4mm
最大栅阈值电压
4V
宽度
4.6mm
最小栅阈值电压
2V
晶体管材料
Si
最大功率耗散
300 W
高度
9.15mm
STP75NF75引脚图爆款物料推荐型号价格热门物料推荐TL431IDBZRRC0805FR-071MLCC0805KRX7R9BB223PGB1010603NRCAT24C64WI-GT3ADA4932-1YCPZ-R7NFM21CC223R1H3DCD40110BELM324PWRRC0603FR-0715KLUSB3300-EZKFQP50N06TL431ACDBZRADC0832CCN/NOPBPIC16F1516-I/SOAD8629ARMZTDA7297BTS6143DRFP50N06BSP452HUMA1客服
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