STP75NF75中文资料

2026-01-28 04:00:13

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出色的dv/dt能力

100%经过雪崩测试

应用

工业,通信与网络,计算机和计算机周边STP75NF75中文参数

通道类型

N

晶体管配置

最大连续漏极电流

80

A

最大栅源电压

-20 V、+20 V

最大漏源电压

75

V

每片芯片元件数目

1

封装类型

TO-220

典型栅极电荷@Vgs

117 nC @ 10 V

安装类型

通孔

最低工作温度

-55 °C

引脚数目

3

系列

STripFET II

最大漏源电阻值

11 mΩ

最高工作温度

+175 °C

通道模式

增强

长度

10.4mm

最大栅阈值电压

4V

宽度

4.6mm

最小栅阈值电压

2V

晶体管材料

Si

最大功率耗散

300 W

高度

9.15mm

STP75NF75引脚图爆款物料推荐型号价格热门物料推荐TL431IDBZRRC0805FR-071MLCC0805KRX7R9BB223PGB1010603NRCAT24C64WI-GT3ADA4932-1YCPZ-R7NFM21CC223R1H3DCD40110BELM324PWRRC0603FR-0715KLUSB3300-EZKFQP50N06TL431ACDBZRADC0832CCN/NOPBPIC16F1516-I/SOAD8629ARMZTDA7297BTS6143DRFP50N06BSP452HUMA1客服

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